人民日报报道的华为稻定律，让国产芯片性能突破了一大截。目前，我们在没有EUV光刻机的情况下，通过先进封装技术、韬定律新架构、新材料、以及N+3技术，把芯片性能已经提高到3NM。国际主流就是3NM，不过明年他们会上2NM，我们的只能说够用，差距比过去要小多了。
根据媒体报道，华为到2031年左右，能把芯片性能干到1.4纳米，跟国际主流基本持平。无论到时候能走到哪一步，现在的性能跟国际最尖端差距这么小，已经为国产EUV光刻机的研发面世赢得了时间。只要我们能跟住，就有超车的可能。
综合现在的信息，EUV光刻机最早也要在2028年面世，很可能要到2029年作为建国大庆的成果面世，到那时候，我们有这些年在封锁下突破的先进技术，还有EUV光刻机，不超越都难。2029，将是极其疯狂的一年，很多好东西都要献礼，想想都很爽。
