今天韩股大涨尤其是 SK大涨都和他最新发布的新iHBM技术有关，内建专属散热通道，让市场看到了HBM5世代的希望。

HBM随着堆叠的层数越来越多，面临散热问题。

SK Hynix的iHBM思路是：不绕路，在热源处直接开辟散热通道。

有别于HBM依靠核Core Die间接向外散热，iHBM直接在热量最集中的D2D PHY區域內，嵌入具备绝缘且高导热的ICE元件，建构专属的热量排出通道。根据SK给出的信息，这项技术可以将热阻大幅降低30%以上。

且SK对于这一方案的实际量产也很有信心，计划将iHBM技术用于HBM5等下一代产品中。

一些相关名词的解释：1️⃣D2D PHY：D2D PHY是HBM Logic Die与GPU之间的物理接口层，承担大量信号转换工作，电气活动密集，是HBM封装内功率密度最高、但最难散热的区域。

2️⃣ICE组件是什么？文中描述是"绝缘且高导热性的硅基材料"。这类材料的矛盾之处在于——绝缘体通常导热差（如SiO₂），能同时做到高导热+绝缘，一般靠的是氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）或特殊掺杂硅基复合结构。SK称之为"ICE"应该是内部品牌命名，具体材料体系目前没有公开披露，这是需要保留判断的地方。

3️⃣制造层面：MR-MUFMR-MUF（批量回流模塑底部填充）本身是SK Hynix在HBM3/HBM4量产中已经打磨多年的工艺——相比三星的TC-NCF（热压非导电膜）工艺，MR-MUF在良率、成本、热性能上均有优势，这也是SK Hynix在HBM市占率上压制三星的重要原因。iHBM在MR-MUF框架内嵌入ICE组件，意味着：不需要引入全新制造平台工程风险可控量产爬坡速度更快