【三星与SK海力士竞逐3D DRAM，争夺AI时代内存主导权】 5月7日，科技媒体Wccftech报道，三星与SK海力士正研发下一代DRAM制造工艺以突破10nm以下制程微缩瓶颈。DRAM依赖电容器存储数据，10nm以下节点电容器尺寸难缩减，晶体管间距缩小增加短路风险，行业转向3D DRAM（类似3D NAND闪存，通过垂直堆叠等方式保持电容容量）。两者路线分化：三星计划推广GAAFET工艺，考虑将控制电路置于存储阵列下方；SK海力士选择4F2架构，垂直堆叠晶体管，接收电容数据组件在晶体管柱下。双方核心目标一致：率先量产并提升良率，推动自家方案成行业标准，抢占AI时代内存市场主导权。详情：网页链接